康柏电子电路设计匹配报告书

客户名称：机器型号：E327208-1# 芯片型号：CY8C582S7F 零件位置：X1 标称频率：32MHz（2520）
负载电容：8pF 调整频差：±10ppm 等效阻抗：50Ω（Max）激励功率：100μW（Max）
测试目的：1、频率精准度测量
2、负性阻抗测量
3、激励功率测量

测试日期：2018 年 02 月 02 日

报告编号	测试	审核	签发
CM2018022	沈锦雷	/	高志祥

1.频率准确度测量：

取 CEC 晶体上述规格晶体测试其参数
S&A 250B: 13.15 Report: 4.62
Reference Fr：32MHz (Using Measured FL) Power: 100.0μw Into RR
PL： 0.00ohms CL: 8.0pF
晶体号数状态 FL Rr CO C6 Ts
(ppm) (ohm) (pF) (fF) (ppm/pF) CEC NO.1 Pass 3.8 14.6 0.85 3.1 19.6

初始电路设计 CY1=CY2=/,状况如下： CEC 晶体在电路板中测试：
（1）测试仪器：铷钟:SRS-FS725(带 GPS)
网络分析仪：Agilent E5100A 双通道有源探头:Agilent 1145A LCR 表：TH2822C
（2）测试方法：把频率信号作为一发射源，用探头靠近但不接触晶体，用频谱仪分析其频率参数。

（3）测试结果：

晶体在电路中的频率偏差大于 9ppm。 2.负性阻抗测量

CEC 晶体在电路板中测试负性阻抗：
（1）测试仪器：铷钟:SRS-FS725(带 GPS)

网络分析仪: Agilent E5100A 数字万用表：Agilent 33401A 可调电阻：1000Ω
（2）测试步骤：
1) 将可调电阻与石英晶体串联接入回路
2) 调节 Vr 使回路起振或停振
3) 当回路刚停振时测试 Vr
4) 得到负性阻抗值│-R│= R1+Vr R1: 晶体的阻抗值
Vr: 可变电阻

5). 推荐负性阻抗值 │-R│>10R1 测试所得负性阻抗值如下表所示：（单位：ohm）

（3）测试结果：

晶体 CL=8pF
晶体序号	CEC NO.1
负性阻抗	750Ω

负性阻抗适合。

3.激励功率测量：
CEC 晶体在电路板中测试激励功率：
（1）测试仪器：示波器：Agilent54642A
高频电流探头：Tek CT-6

（2）计算公式：

根据以上测试结果得出，频率偏差较大，为减小频率偏差，我们建议更改晶振

规格 CL=8pF 为 CL=7.5pF,测试如下： 4. 频率准确度测量：
S&A 250B: 13.15 Report: 4.62

Reference Fr：32MHz (Using Measured FL) Power: 100.0μw Into RR

CEC NO.1：电路板上测试频率 32.000441MHz(13.78ppm）
晶体编号	单体 CL	外接电容	外接电容	S&A250B	电路板测量	频差
晶体编号	pF	CY1 (pF)	CY2 (pF)	ppm	ppm	ppm
CEC NO.1	7.5	/	/	14.2	13.78	-0.42

晶体在电路中的频率偏差小于 1ppm。

5.负性阻抗测量

晶体 CL=7.5pF
晶体序号	CEC NO.1
负性阻抗	750Ω

负性阻抗适合。

6.激励功率测量：

晶体 CL=7.5pF
晶体序号	CEC NO.1
激励功率	22.3μW

激励功率适合。

结论：我们建议使用以下规格晶振：
标称频率：32MHz晶振（2520） 负载电容：7.5pF 调整频差：±10ppm 等效阻抗：50Ω（Max） 激励功率：100μW（Max）
测试数据如上，谨供参考！

32MHz（2520）8pF晶振匹配报告

1.频率准确度测量：

晶体在电路中的频率偏差大于 9ppm。 2.负性阻抗测量

负性阻抗适合。

推荐激励功率小于 100μW

根据以上测试结果得出，频率偏差较大，为减小频率偏差，我们建议更改晶振

晶体在电路中的频率偏差小于 1ppm。